著者らは低圧水素用の高感度な圧力センサの開発を進めている。本論文では水素の影響を受けないCr-N薄膜とジルコニア基台からなる、水素ガス圧力容器内に内蔵可能な新規圧力センサを提案する。そのセンサ素子は、ジルコニア基台中に基準圧力室を有するダイアフラム構造からなるとともに、そのダイアフラム上に高感度にひずみ検知が可能なCr-N薄膜が形成されることにより高感度な圧力計測を可能とする。その圧力センサ素子を作製して圧力印加試験を行った結果、理論的な構造解析結果と一致する出力が得られ、1MPa未満の低圧域において安定で敏感な圧力検知が可能であることを明らかにした。本研究の圧力センサは、水素ガス中で高感度に圧力計測が可能な新規センサとして期待できる。