同時スパッタリングにより、新しい組成系であるCo-SrF₂ナノグラニュラー膜を作製し、そのトンネル磁気誘電（TMD）効果に関して、ナノグラニュラー膜におけるマトリックスの結晶性の影響について検討した。膜組成は、コバルトターゲットへの投入電力を0～205Wの任意のワット数に調整することにより、膜中のコバルト含有量を0～19at.%に調整した。その結果、結晶化したSrF₂マトリックスにCo粒子（Φ3～4nm）が均一に分散した構造を有する膜が得られた。Co₁₉-(SrF₂)₁₈膜の誘電率は、最大で648の最大値に達し、飽和磁化は最大3.1ｋGを示した。さらにCo₁₆-(SrF₂)₈₄膜において、TMD応答は3.5％のピーク値を示し、以前に報告されたものよりも大きな値を有することが分かった。