• 知的財産権リスト

知的財産権リスト

2018年

歪抵抗膜および歪センサ、ならびにそれらの製造方法
発表者 丹羽英二
番号（日付） 整理番号303
特願2018-082592（H30/4/23）
特開2019-192740（R01/10/31）
特許第6908554号（2021/7/5）
課題 所定の高温領域において、高いゲージ率および温度安定性を示す歪抵抗膜および歪センサ、ならびにそれらの製造方法を提供する。
解決手段 一般式Cr100-x-yAlxNy（ただし、x、yは原子比率（at.%）であり、４≦x≦25、0.1≦y≦20である。）で表され、-50℃以上300℃以下の温度範囲において、ゲージ率が4以上である歪抵抗膜を得る。この歪抵抗膜が起歪構造体上に形成することにより歪センサが得られる。歪薄膜は、上記組成の薄膜に、300℃以上700℃以下の温度で熱処理を施すことにより得られる。
誘電性薄膜およびその製造方法
  • 池田賢司、小林伸聖、岩佐忠義、荒井賢一
  • read more
発表者 池田賢司、小林伸聖、岩佐忠義、荒井賢一
番号（日付） 整理番号304
特願2018-091074（H30/5/10）
特開2019-197668（R01/11/14）
登録番号7086706
登録日2022/6/10
課題 屈折率を可変に制御しうる誘電性薄膜およびその製造方法を提供する。
解決手段 絶縁性マトリックスと、これの中に分散している金属粒子（Fe、CoおよびNiのうち少なくとも１つからなる）とからなる本発明の誘電性薄膜は、組成式FeaCobNicMwNxOyFzで表わされる。MはMg、Al、Si、Ca、Ti、Y、Zr、Nb、Ba、HfおよびTaからなる群から選択される少なくとも１つの元素である。組成比a、b、c、w、x、y、zは原子比率で、0≦a≦0.35、0≦b≦0.35、0≦c≦0.35、0.23≦a＋b＋c≦0.35、0.10≦w≦0.50、0≦x≦0.50、0≦y≦0.50、0≦z≦0.50、0.20≦x＋y＋z≦0.70、かつ、a＋b＋c＋w＋x＋y＋z＝1である。絶縁性マトリックスの結晶子サイズが4.0nm以上の範囲に含まれている。
pn接合素子用の複合鉄酸化物薄膜および光触媒活性物質用の複合鉄酸化物薄膜
発表者 阿部世嗣
番号（日付） 整理番号306
特願2018-145344（H30/08/01）
特開2020-19683（R02/2/6）
登録番号7049958
登録日2022/3/30
課題 マグネタイト結晶相により構成されている第１鉄酸化物層と、第１鉄酸化物とヘテロ構造をなす表面層としてのヘマタイト結晶層により構成されている第２鉄酸化物層と、を備えている複合鉄酸化物薄膜の適用範囲の拡張を図る。
解決手段 本発明のpn接合素子用または光触媒活性物質用の複合鉄酸化物薄膜は、第１鉄酸化物層と、第１鉄酸化物層とヘテロ構造を構成する表面層としての第２鉄酸化物層と、を備えている。第１鉄酸化物層は、L1-x-yFexＯy（但し、0.90≦x＋y＜1.0、0.27≦x≦0.67、0.37≦y≦0.67、L:Ge、Mo、WおよびMgからなる群から選択される一種以上の元素）で表わされ、かつ、マグネタイト結晶相またはマグヘマイト結晶相により構成されている。第２鉄酸化物層は、L1-u-vFexOy（0.99≦u+v≦1.0、0.39≦ｕ≦0.41、0.59≦ｖ≦0.61）で表わされ、かつ、ヘマタイト結晶相により構成されている。
強磁性積層膜および強磁性積層膜の製造方法
発表者 直江正幸
番号（日付） 整理番号307
特願2018-154102（H30/08/20）
特開2020-31084（R02/2/27）
登録番号7133392
登録日2022/8/31
課題 ナノグラニュラー構造を有する強磁性薄膜が奏する高透磁率化等の効果の増進を図りうる強磁性薄膜等を提供する。
解決手段 強磁性積層膜は、対をなす強磁性層の間に絶縁層が挟まれるように複数の強磁性層および絶縁層が積層されている構造を有する。強磁性層が、一般式L1-a-bMaFbにより表わされる組成を有し、かつ、Lで表わされる平均粒径1～20nmの磁性粒子がMのフッ化物からなる絶縁性マトリックスに均一に分布したナノグラニュラー構造を有している。Lは、Fe、CoおよびNiから選択される１種以上の元素（但しNiの単独は除く）である。MはLi、Mg、Al、Ca、Sr、Ba、GdおよびYから選択される１種以上の元素である。Fはフッ素である。0.03≦ａ≦0.07、0.06≦ｂ≦0.18、0.10≦a+b≦0.24である。絶縁層が、一般式McFd（1≦c≦2、1≦d≦3）により表わされる組成を有している。
強磁性積層膜およびその製造方法ならびに電磁誘導性電子部品
発表者 直江正幸
番号（日付） 整理番号308
特願2018-217954（H30/11/21）
特開2020-88078（R02/6/4）
登録番号7181064
登録日2022/11/21
課題 ナノグラニュラー構造を有する強磁性薄膜が奏する高透磁率化の増進を図る強磁性薄膜を提供する。
解決手段 強磁性積層膜は、異なる厚さ範囲に含まれる厚さを有する第１強磁性層と、第２強磁性層と、を含んでいる複数の強磁性層が絶縁層を介して積層されている構造を有する。強磁性層が、一般式L1-a-bMaFbにより表わされる組成を有し、かつ、Lで表わされる平均粒径1～20nmの磁性粒子がMのフッ化物からなる絶縁性マトリックスに均一に分布したナノグラニュラー構造を有している。Lは、Fe、CoおよびNiから選択される１種以上の元素（但しNiの単独は除く）である。MはLi、Mg、Al、Ca、Sr、Ba、GdおよびYから選択される１種以上の元素である。Fはフッ素である。絶縁層30が、一般式McFd（1≦c≦2、1≦d≦3）により表わされる組成を有している。
複合鉄酸化物薄膜およびその製造方法
発表者 阿部世嗣
番号（日付） 整理番号310
特願2018-243057（H30/12/26）
特開2020-23744（R02/2/13）
登録番号7153555
登録日2022/10/5
課題 耐酸化性の向上が図られている複合鉄酸化物薄膜およびその製造方法を提供する。
解決手段 本発明の複合鉄酸化物薄膜は、第１鉄酸化物層と、第１鉄酸化物層とヘテロ構造を構成する表面層としての第２鉄酸化物層と、を備えている。第１鉄酸化物層は、組成式L1-x-yFexOy（但し、0.90≦x+y＜1.0、0.27≦x≦0.67、0.37≦y≦0.67、L:Mo、W、GeおよびMgからなる群から選ばれる一種以上の元素）で表わされ、かつ、マグネタイト結晶相またはマグヘマイト結晶相により構成される。第２鉄酸化物層は、組成式L1-u-vFeuOv（0.99≦u+v≦1.0、0.39≦u≦0.41、0.59≦v≦0.61）で表わされ、かつ、ヘマタイト結晶相により構成される。
複合鉄酸化物焼結体および複合鉄酸化物粉末ならびにこれらの製造方法
発表者 阿部世嗣
番号（日付） 整理番号311
特願2018-243058（H30/12/26）
特開2020-23426(R02/2/13)
特許第7391505号（2023/11/27）
課題 耐酸化性の向上が図られている複合鉄酸化物焼結体およびその製造方法を提供する。
解決手段 本発明の複合鉄酸化物焼結体は、組成式GexFe3-xsub>O4（0＜x＜1）で表わされるGeが固溶したマグネタイト結晶相と、組成式GeyFe2-yO3（0≦y≦0.01）で表わされるヘマタイト結晶相と、の混合相により構成される。Fe3O4、FeOおよびGeO2の混合粉末の成形体が、非酸化雰囲気または真空において、第１温度範囲1073～1573Kに含まれる温度で、第１時間範囲0.1～170hrに含まれる時間にわたって熱処理されることにより焼結体が作製される。酸化雰囲気において、第２温度範囲673～973Kに含まれる温度で、第２時間範囲10分～500日に含まれる時間にわたって焼結体が熱処理されることにより本発明の複合鉄酸化物焼結体が作製される。
力センサ
発表者 丹羽英二
番号（日付） 整理番号312
特願2019-051968（H31/03/19）
特開2020-153791(R02/9/24)
特許第6874045号（R03/4/23）
課題 ゲージ率について等方性を有する導電性部材の応用範囲の拡張を図り得る力センサを提供する。
解決手段 力センサは、弾性を有する起歪体と、起歪体を全周にわたり支持する支持部と、起歪体の主面方向に等方的なゲージ率を有する導電性部材と、を備えている。導電性部材が１箇所で分断された極点を取り囲む環状に延在するように起歪体の主面の指定緯度範囲に配置されている。指定緯度範囲は、起歪体に対して主面の垂線方向成分を有する力が作用した際に極点を基準とした起歪体の経線方向についての第１ひずみ量および緯線方向についての第２ひずみ量の大きさの和が基準値以上となる緯度範囲である。

発明者について

2011年以降の電磁材料研究所の研究者にはアンダーバーがあります。
研究者のプロフィールは当研究所で活躍する研究者の紹介のページをご参照ください。

お問い合わせ

知的財産権の内容に関するご質問やお問い合わせは、FAQ（～について）またはお問い合わせのページをご覧ください。

出願年別（公開分のみ）