コバルト-金属-フッ化物ナノグラニュラー膜は、高い電気抵抗率（ρ）と高い誘電率（ε'）、さらに高い磁気モーメントを示し、高周波帯域の低電力磁気電子デバイスへの応用が期待される。本報告では、マトリックスがBaF₂、ナノグラニュールがコバルト（粒径約2nm）で構成され、高いρを有するCo_x-(BaF₂)_1-xナノグラニュラー膜のDC/AC磁電効果を報告する。外部磁界の作用によって、x(Co 量）が0.19～0.54の膜に関し、2.0%～5.9%のρの変化（Δρ/ρ₀）が確認され、さらに0.7%～6.0%のε'の変化（Δε/ε'₀）が確認された。これらの膜のρとε'が磁界印加によって変化する現象は、スピンに依存する量子力学的電荷移動に基づいて説明される。さらに、x=0.42のCo_x-(BaF₂)_1-x膜は、高いρを持ち、メガヘルツに及ぶ高周波数帯域で6%という非常に大きなΔε/ε'_０を保持します。
本研究で得られた高抵抗磁気電気ナノグラニュラー膜は、低消費電力の高周波磁気電気デバイスにおける新たなアプリケーションを可能にする。

少量のSiを添加すると、Co-MgF₂グラニュラー膜のトンネル磁気誘電（TMD）効果が大幅に向上することを見い出した。添加されたSiは、MgF₂マトリックスに均一に分散し、CoとMgF₂の間の相互拡散を阻害するため、Siを含まないCo-MgF₂膜の場合と比較すると、磁化が増大する。その結果、理論的なフィッティングで示されるように、TMD比は（Δε' / ε’）が大幅に増大する。CoFe-MgF₂膜にSiを添加すると、10kOeの磁場（H）の印加下で、10kHzで4.3％、200kHzで8.5％という高いΔε' / ε’を示し、弱い磁界（H=1kOe）でも2.1％の高い値を示す。
この結果は、ナノグラニュラー膜におけるTMD効果を高めるための、シンプルかつ効果的な方法を示し、高性能磁気誘電デバイスの開発に展望を開くものです。

本論文では、粘土鉱物が分散した水系ペーストを用いた単純な塗布、乾燥および焼成過程によってステンレス鋼（SUS）への密着性の良いセラミック塗工を可能とする技術を報告する。

粘土鉱物からなるセラミック膜とSUSの間の界面領域の断面微細構造を詳細に解析し、その良好な密着性の発現メカニズムを調べた結果、SUSから鉄がセラミック膜中に拡散するとともに、SUSに特有の不働態膜が焼成の間にセラミック膜と一体になり、そのような化学反応がその膜とSUSの表面との間に強い密着性を生じさせることを明らかにした。さらに、この塗工方法により、元のSUS表面の小さな傷を粘土鉱物ペーストが覆い、良好な平坦面を形成することも見出した。