磁性金属絶縁体ナノグラニュラー膜は、複数の優れた機能性を有し、その中でもトンネル磁気誘電体（TMD）効果は、我々のグループによって発見された新しい磁気電気現象である。このTMD効果を実用化するためには、低磁場でのTMD感度を向上させることが必要である。本研究では、TMD効果に対する成膜後アニールの効果に注目した。すなわち、微細構造、磁気特性および誘電特性と、アニール温度との関係を詳細に調べ、TMD効果を実現する鍵となる膜の微細構造（Coの粒径と粒界距離）について検討した。アニール温度とCo含有量を最適化の最適化により、Co0.37(Al2O3)0.63ナノグラニュラー膜において、200kA/mの磁場下で報告値の75倍である3.0%のTMD比が得られた。これにより、アニールがナノグラニュラー膜のTMD応答の低磁場感度を向上させる効果的な手法であることを明らかにした。