高周波パワーエレクトロニクスにおける磁気部品の高効率化・小型化のために磁性材料は重要であるが、磁性薄膜において高周波特性を得るには一軸異方性にする必要があり、部品の複雑な電極構造から発する磁束も対しては効率が悪いため、等方的な高周波特性が望ましい。また、磁束は膜面内成分のみならず、鎖交成分も多いため、従来の金属系薄膜を薄くして積層しても、高周波化で増大する渦電流損失に対抗することは困難である。よって、ナノグラニュラー薄膜を用いた高透磁率の直交膜を検討した。しかし、本膜は容易に高周波化する材料であるが故に、これとトレードオフとなる高透磁率化には課題があり、詳細な検討が必要である。今回は、この課題を克服した結果について述べる。