高感度ひずみセンサ材料Cr-N薄膜は横感度も大きく、ひずみと垂直な方向への薄膜配置（横方向配置）によるひずみ検知の高位置分解能化が可能となる。本研究ではダイアフラム型起歪構造体について構造解析を行い、生じるひずみについて調べ、Cr-N薄膜における大きな横感度のより有効な利用方法の検討を行った。その結果、ダイアフラム上に生じる径方向と周方向の2つのひずみが同符号となる位置へのCr-N薄膜の配設によってひずみ量の重畳により出力が向上し、さらに、センサ薄膜の周方向配置により隔膜部の狭小化が可能であることからダイアフラムの小型化および高容量化が期待できることが示された。ダイアフラム構造からなる各種力学量センサにおける超小型化および検知能力の向上が期待できる。