我々が見出したトンネル磁気誘電(TMD)効果は、基礎科学のみならず多機能デバイスへの応用においても、大きな興味と可能性を有します。一方、誘電率の変化の磁化との対応についての詳細な検討はなされておらず、理論的にどの程度の誘電率変化が期待できるか明らかになっていません。本研究では、ナノグラニュラールのスピン分極率、および規格化された磁化に対する理論的な考察と実感の対応を検討しました。その結果、ナノグラニュラー膜のTMDは、理論的に200%もの大きな値が期待できることが明らかになりました。