Cr-N薄膜は、ゲージ率が10以上と大きく温度変化に安定な高感度ひずみセンサ材料である。本論文では、Cr-N薄膜の横感度、すなわち薄膜素子をひずみに対し垂直に配置した時のゲージ率について調べ、その横感度が通常の平行配置の場合とほぼ同等の大きな値を示すこと、および、その垂直配置がひずみや力の計測における高い位置分解能を可能とすることを明らかにした。従来に無いCr-N薄膜の大きな横感度を利用する垂直配置によって各種力学センサの超小型化が可能になると考えられる。