InSb-ZnO:Ge nanocomposite thin films: One-step synthesis, structural, optical, and electrical properties
掲載日 2019年8月19日
発表者 Seishi Abe
雑誌名等 AIP Advances 9, 075110(2019)
概要 次世代太陽電池用材料の半導体複相薄膜は、ナノ粒子が分散しつつ低電気抵抗化することが必要である。 高周波スパッタリングによりInSbとGeをZnO薄膜に同時に添加し、更に真空中で熱処置を行った。その結果、この複合材はInSbナノ結晶の存在によって光吸収端のシフトを示し、また、ZnO中へのGeの固溶により比較的低い電気抵抗を持つという2つの異なる機能を同時に実現することができた。