本研究では、転写プリントの手法を用い、透明インジウムスズ酸化物 (ITO) 電極を備えたフォトニック結晶 (PhC) キャビティに埋め込むことによって高度に集積化された InAs/GaAs 量子ドット (QD) を作製し、その電気的な制御を実証した。吸収損失を減らしながら大きなバイアス場を維持するために、キャビティと電極の間にスペーサー層を設けた。下部電極、PhC キャビティ、上部電極は別々に作製し、転写プリントによって集積化した。その結果、キャビティモードへの QD 放出の電気的チューニングとパーセル増強を観察が観察され、同じチップ上で複数のハイブリッド集積 QD デバイスが可能であることが示された。