弊所で開発されたナノグラニュラー薄膜に関し、その変形に伴うゲージ効果を検討した。その結果、室温において、市販金属ひずみゲージの10倍以上の大きなゲージ率を示すことが明らかとなった。また、-50～100℃の実用温度範囲において、ゲージ率の温度変化は非常に少なく、新たなゲージ材料として有望である。さらにこれらの特性について、ナノグラニュラー構造におけるトンネル伝導のメカニズムから考察した。