ポリイミドを基板としたCr-N 薄膜ひずみゲージ素子の作製と微圧センサ応用
掲載日 | 2024年11月1日 |
発表者 | 、 |
雑誌名等 | 電気学会・論文誌E, vol.144 No.11 pp.375-383 |
概要 | 著者らは、次世代の新しいひずみゲージ材料として期待される、ゲージ率約10および抵抗温度係数約0ppm/℃の優れた特性を示すCr-N合金薄膜を開発した。 本研究では、これまで難しかったポリイミド基板(ベース)上への Cr-N 薄膜の作製を目的として試作評価を行い、さらにその微圧センサへの応用について検討を行った。 その結果、より低いスパッタリングガス圧力を使用することによってポリイミド基材上にクラックのない使用可能なCr-N薄膜が得られることを見出し、また1〜30kPaの極低圧範囲の圧力を高感度に検出できる可能性を見出した。 |
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