金属Crにおける、ひずみによる電気抵抗の高感度応答のメカニズムの解明を目的として、スピン密度波（SDW）状態の反強磁性Crについて密度汎関数理論に基づく第一原理計算を実施した。抵抗のひずみ感度を表すゲージ率（GF）の計算結果は約10と求まり、温室での実験結果と良い一致を示した。また、大きなGFがCrで観測される磁気体積効果に関連することを明らかにした。一軸ひずみに伴う体積変化が磁気状態だけでなく電気伝導にも影響を及ぼし、SDW状態における電子構造の感度良い変化を生じさせると考えられる。