コバルト-金属-フッ化物ナノグラニュラー膜は、高い電気抵抗率（ρ）と高い誘電率（ε'）、さらに高い磁気モーメントを示し、高周波帯域の低電力磁気電子デバイスへの応用が期待される。本報告では、マトリックスがBaF₂、ナノグラニュールがコバルト（粒径約2nm）で構成され、高いρを有するCo_x-(BaF₂)_1-xナノグラニュラー膜のDC/AC磁電効果を報告する。外部磁界の作用によって、x(Co 量）が0.19～0.54の膜に関し、2.0%～5.9%のρの変化（Δρ/ρ₀）が確認され、さらに0.7%～6.0%のε'の変化（Δε/ε'₀）が確認された。これらの膜のρとε'が磁界印加によって変化する現象は、スピンに依存する量子力学的電荷移動に基づいて説明される。さらに、x=0.42のCo_x-(BaF₂)_1-x膜は、高いρを持ち、メガヘルツに及ぶ高周波数帯域で6%という非常に大きなΔε/ε'_０を保持します。
本研究で得られた高抵抗磁気電気ナノグラニュラー膜は、低消費電力の高周波磁気電気デバイスにおける新たなアプリケーションを可能にする。