少量のSiを添加すると、Co-MgF₂グラニュラー膜のトンネル磁気誘電（TMD）効果が大幅に向上することを見い出した。添加されたSiは、MgF₂マトリックスに均一に分散し、CoとMgF₂の間の相互拡散を阻害するため、Siを含まないCo-MgF₂膜の場合と比較すると、磁化が増大する。その結果、理論的なフィッティングで示されるように、TMD比は（Δε' / ε’）が大幅に増大する。CoFe-MgF₂膜にSiを添加すると、10kOeの磁場（H）の印加下で、10kHzで4.3％、200kHzで8.5％という高いΔε' / ε’を示し、弱い磁界（H=1kOe）でも2.1％の高い値を示す。
この結果は、ナノグラニュラー膜におけるTMD効果を高めるための、シンプルかつ効果的な方法を示し、高性能磁気誘電デバイスの開発に展望を開くものです。