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公益財団法人電磁材料研究所
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知的財産権平成7年(1995年)度

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平成7年(1995年)度

平成7年(1995年)度
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 210
特願平07-267628 (H07/09/08)
特開平09-082522 (H09/03/28)
特許第3956061号 (H19/05/18)

分割出願
整理番号 263
特願2007-059510 (H19/03/09)
特開2007-173863 (H19/07/05)
特許第4630882号 (H22/11/19)
一軸磁気異方性膜 大沼 繁弘
藤森 啓安
増本 健
本発明は、一般式(Co1-aFea)100-x-yMxOyで表され、異方性磁界が50~100 Oeで、飽和磁束密度が8 kG以上で、電気比抵抗が300~1500 μΩcmである一軸磁気異方性膜であり、高周波帯域で動作するトランスまたはインダクタに適している。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 213
特願平07-293228 (H07/10/03)
特開平09-095751 (H09/04/08)
特許第3933213号 (H19/02/27)
Cr基合金薄膜およびその製造法ならびにストレインゲ-ジ 丹羽 英二
佐々木 祥弘
増本 剛
本発明は、Cr主成分と所要の副成分とからなり、ゲ-ジ率が2以上で、且つ抵抗温度係数が±3.5×10-4/℃以内であるCr基合金薄膜で、ストレインゲ-ジ、ロ-ドセル、ストレインセンサ、重量計、加速度計、各種応力・歪み計等に好適である。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 215
特願平07-345969 (H07/11/28)
特開平08-260077 (H08/10/08)
特許第3696310号 (H17/07/08)
大きな抵抗温度係数を有する電気抵抗合金とその製造法ならびにセンサデバイス
(ピ-ラス)
関連特許:整理番号183 (特許第2810242号)
中村 直司
村上 雄悦
増本 剛
本発明合金は、Pd-Fe-Mn基合金からなり0~200℃における平均の温度係数が4000×10-6/℃以上を有しているので、Co、O2、アルコ-ルガス、水素ガス、メタンガス、ブタンガス、等の高感度ガスセンサおよび抵抗変化型高性能小型温度センサに非常に適している。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 216
特願平07-351751(H07/12/15)
特開平08-277429(H08/10/22)
特許第3696312号(H17/07/08)
大きな抵抗温度係数を有する電気抵抗合金とその製造法ならびにセンサデバイス
(ピ-ラス)
関連特許:整理番号183 (特許第2810242号)
中村 直司
村上 雄悦
増本 剛
本発明合金は、Pb-Fe基合金からなり0~200℃における平均の温度係数が4000×10-6/℃以上を有しているので、Co、O2、アルコ-ルガス、水素ガス、メタンガス、ブタンガス、等の高感度ガスセンサおよび抵抗変化型高性能小型温度センサに非常に適している。
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