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知的財産権平成8年(1996年)度

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平成7年(1995年)度                                                平成9年(1997年)度
 

平成8年(1996年)度

平成8年(1996年)度
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 219
特願平08-281232 (H08/09/17)
特開平10-092639 (H10/04/10) 
特許第3556782号 (H16/05/21)
高電気抵抗を有する磁気抵抗膜 小林 伸聖
大沼 繁弘
増本 健
本発明は、一般式(Co1-aFea)100-x-yMxOyで表され、室温で3%以上の磁気抵抗効果を示す高電気抵抗を有する磁気抵抗膜で、磁気記録用MRヘッド、MRセンサなどに適している。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 220
特願平09-078816 (H09/02/21)
特開平10-241938 (H10/09/11)
特許第3810881号 (H18/06/02)
高周波軟磁性膜 大沼 繁弘
増本 健
本発明は、一般式Co100-x-y-z-wMxRyLzQwで表され、2種類以上の微細構造からなり、異方性磁界が100 Oe以上および電気比抵抗が400 μΩcm以上である高周波軟磁性膜であり、薄膜トランス、薄膜インダクタおよび磁気記録再生ヘッドに適している。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 221
特願平09-108039 (H09/03/21)
特開平10-270201 (H10/10/09)
特許第3642449号 (H17/02/04)
Cr-N基歪抵抗膜およびその製造法ならびに歪センサ 丹羽 英二
佐々木 祥弘
増本 剛
本発明は、Cr100-x-yNxMyで表され、結晶構造が主としてbcc構造または主としてbcc構造とA15型構造との混合組織からなり、ゲ-ジ率が2以上で、且つ電気抵抗の温度係数が±4x10-4/℃以内であるCr-N基歪抵抗膜で、ストレインゲ-ジ、ロ-ドセル、ストレインセンサ、重量計、加速度計、各種応力・歪み計等に好適である。
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