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知的財産権平成12年(2000年)度

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平成11年(1999年)度                                              平成13年(2001年)度
 

平成12年(2000年)度

平成12年(2000年)度
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 244
特願2000-233902 (H12/08/02)
特開2002-048607 (H14/02/15)  
特許第3756737号
薄膜触覚センサ  丹羽 英二
佐々木 祥弘
金子 秀夫
増本 剛
共同出願人科学技術振興機構
特許権者電磁材料研究所、科学技術振興機構
【課題】従来、歪と同時に温度を正しく検知可能とする工夫がなされている触覚センサは提案されていない。又、従来の歪及び温度を同時に検知するセンサは、感度が悪い、誤差が大きい、補償回路を必要とするの問題があった。本発明は、高感度で誤差が少なく、補償回路を必要とせずに、歪及び温度を同時に検知可能とする薄膜触覚センサを、義手・義足、ロボット、マニピュレータ、体内挿入型医療器具及び人口皮膚等に提供する。
【解決手段】温度感度が大きく歪感度(又は圧力感度)が小さい温度検知用薄膜、及び歪感度(又は圧力感度)が大きく温度感度が小さい歪検知用薄膜という、大きく異なる特徴を持つ二つの薄膜抵抗体を、並列構造あるいは積層構造をなして構成することにより、補償回路を用いずに温度及び歪(又は圧力)を同時に提供することが可能な薄膜触覚センサを提供することができる。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 246
特願2000-367822 (H12/10/26)
特開2002-131407 (H14/05/09)
特許第4023997号 (H19/10/12)
薄膜磁界センサ (GIGS)
関連特許:整理番号225 (特許第3640230号)、外国出願
小林 伸聖
矢野 健
大沼 繁弘
増本 健
本発明の薄膜磁界センサは、構造が単純で小型化が可能であり、高い磁界検出感度を有し、しかも温度変化等による誤差が無く、印加された磁界強度の絶対値が検出可能であるので、次世代の高性能磁界センサとして、その工業的意義は極めて大きい。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 247
特願2000-391623 (H12/11/17)
特開2002-158486 (H14/05/31)
放棄 (H23/01/04)
電磁波吸収膜 大沼 繁弘
小林 伸聖
増本 健
本発明は、一般式M100-xIxで表され、10 nm以下の粒径を有する強磁性微粒子Mが高密度に分布してなり、IはMからなる強磁性微粒子を囲む酸化物、窒化物又はフッ化物等の絶縁物からなる粒界物質であり、6 kG以上の飽和磁化、30 Oe以上の異方性磁界及び150 μΩcm以上の電気比抵抗を有し、且つGHz帯域での複素透磁率の虚数部の大きさが30以上であるナノグラニュラ-軟磁性膜からなる電磁波吸収膜で、各種の磁気デバイスのGHz周波数帯域においてすぐれた電磁波吸収特性を発揮する。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 254
特願2002-109814 (H14/03/06)
特開2003-258333 (H15/09/12)
特許第3930362号 (H19/03/16)
磁気抵抗比の温度係数が小さい磁気抵抗膜 小林 伸聖
大沼 繁弘
増本 健
本発明は、温度変化の大きな環境で用いることが可能な、磁気抵抗比(MR比)の温度係数が小さく、且つMR比の値が5%以上の大きな磁気抵抗効果を示し104 μΩcm以上の高い電気比抵抗を有する磁気抵抗膜を提供する。
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