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知的財産権平成13年(2001年)度

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平成12年(2000年)度                                              平成14年(2002年)度
 

平成13年(2001年)度

平成13年(2001年)度
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 249
特願2001-184123 (H13/05/15)
特開2002-344042 (H14/11/29)
特許第4079607号 (H20/02/15)
高電気抵抗を有する磁気抵抗膜 小林 伸聖
大沼 繁弘
増本 健
本発明は、一般式(Fe1-a-bCoaNib)100-w-x-y-zLwMxOyFzで表されるグラニュラ-膜で、室温で3%以上の大きな磁気抵抗効果を有し、且つ104 μΩcm以上の高い電気比抵抗を有する磁気抵抗膜で、磁気記録用MRヘッド、MRセンサおよび磁気メモリ-などに適している。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 252
特願2001-315935 (H13/10/12)
特開2003-121522 (H15/04/23)
特許第4204775号 (H20/10/24)
薄膜磁界センサ (GIGS)
関連特許:整理番号225 (特許第3640230号)、外国出願
小林 伸聖
矢野 健
白川 究
残留磁化による測定誤差を排除し、磁界の強度と極性を同時に正確に測定できる巨大磁気抵抗薄膜を用いた薄膜磁界センサである。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 中国(CN6)
出願01803264.8(H13/10/25)
公開CN1394284(H15/01/29)
登録ZL01803264.8
薄膜磁界センサ 小林 伸聖
矢野 健
大沼 繁弘
白川 究
増本 健
【課題】構造が簡単で、高い磁界検出感度を有し、しかも温度変化等による誤差が無く、印加された磁界強度の絶対値が検出可能な磁界センサを提供すること。
【解決手段】本発明では、巨大磁気抵抗薄膜の両側に導体膜6を配置し、電気端子8および9を設けた素子10を導入し、また、素子5と素子10を2つのアームとするブリッジ回路を形成する。素子10の電気抵抗値の磁界に対する感度は小さな磁界では実質的に零でありながら、磁界印加以外の要因による電気抵抗値変化は素子5と等しい。ブリッジの出力電圧は、素子5と素子10の電気抵抗値の差に比例するため、ブリッジの出力電圧からは巨大磁気抵抗薄膜の温度変化等、磁界印加に原因する以外の変化要因は相殺され、従って、正確な印加磁界の値を得ることができる。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 欧州(EP1)
出願01978911.4(H13/10/25)
公開1329735A1(H14/05/10)
登録EP1329735B1
薄膜磁界センサ 小林 伸聖
矢野 健
大沼 繁弘
白川 究
増本 健
【課題】構造が簡単で、高い磁界検出感度を有し、しかも温度変化等による誤差が無く、印加された磁界強度の絶対値が検出可能な磁界センサを提供すること。
【解決手段】本発明では、巨大磁気抵抗薄膜の両側に導体膜6を配置し、電気端子8および9を設けた素子10を導入し、また、素子5と素子10を2つのアームとするブリッジ回路を形成する。素子10の電気抵抗値の磁界に対する感度は小さな磁界では実質的に零でありながら、磁界印加以外の要因による電気抵抗値変化は素子5と等しい。ブリッジの出力電圧は、素子5と素子10の電気抵抗値の差に比例するため、ブリッジの出力電圧からは巨大磁気抵抗薄膜の温度変化等、磁界印加に原因する以外の変化要因は相殺され、従って、正確な印加磁界の値を得ることができる。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 台湾(TW1)
出願90126413(H13/10/25)
登録184815
薄膜磁界センサ 小林 伸聖
矢野 健
大沼 繁弘
白川 究
増本 健
【課題】構造が簡単で、高い磁界検出感度を有し、しかも温度変化等による誤差が無く、印加された磁界強度の絶対値が検出可能な磁界センサを提供すること。
【解決手段】本発明では、巨大磁気抵抗薄膜の両側に導体膜6を配置し、電気端子8および9を設けた素子10を導入し、また、素子5と素子10を2つのアームとするブリッジ回路を形成する。素子10の電気抵抗値の磁界に対する感度は小さな磁界では実質的に零でありながら、磁界印加以外の要因による電気抵抗値変化は素子5と等しい。ブリッジの出力電圧は、素子5と素子10の電気抵抗値の差に比例するため、ブリッジの出力電圧からは巨大磁気抵抗薄膜の温度変化等、磁界印加に原因する以外の変化要因は相殺され、従って、正確な印加磁界の値を得ることができる。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 253
特願2001-402301 (H13/11/30)
特開2003-166026 (H15/06/13)
特許第4037104号 (H19/11/09)
放棄 (H23/11/09)
高耐食性磁石合金及び製造法
(プラチロン)
村上 雄悦
中山 孝文
本発明は、高耐食性磁石合金及び製造法並びにこれを用いた医療用具、宝飾用品及び電磁機器に関するもので、その目的とするところは、残留磁束密度及び保磁力が大きく、溶湯の流動性、加工性、耐食性の良好な磁石合金を得ることにある。
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