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公益財団法人電磁材料研究所
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知的財産権平成16年(2004年)度

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平成15年(2003年)度                                              平成17年(2005年)度
 

平成16年(2004年)度

平成16年(2004年)度
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 アメリカ(US53)
出願2004853619(H16/05/24)
公開US2004/0239321(H19/11/20)
登録US7170287
薄膜磁気センサ及びその製造方法 白川 究
小林 伸聖
共同出願人大同特殊鋼株式会社金田 安司
特許権者電磁材料研究所、大同特殊鋼株式会社
【課題】構造が簡単で、高い磁界検出感度を有し、しかも温度変化等による誤差が無く、印加された磁界強度の絶対値が検出可能な磁界センサを提供すること。
【解決手段】本発明では、巨大磁気抵抗薄膜の両側に導体膜6を配置し、電気端子8および9を設けた素子10を導入し、また、素子5と素子10を2つのアームとするブリッジ回路を形成する。素子10の電気抵抗値の磁界に対する感度は小さな磁界では実質的に零でありながら、磁界印加以外の要因による電気抵抗値変化は素子5と等しい。ブリッジの出力電圧は、素子5と素子10の電気抵抗値の差に比例するため、ブリッジの出力電圧からは巨大磁気抵抗薄膜の温度変化等、磁界印加に原因する以外の変化要因は相殺され、従って、正確な印加磁界の値を得ることができる。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 中国(CN8)
出願200410048870.2(H16/06/02)
公開CN1573350(H17/02/02)
登録ZL200410048870.2
薄膜磁気センサの製造方法 白川 究
小林 伸聖
共同出願人大同特殊鋼株式会社金田 安司
特許権者電磁材料研究所、大同特殊鋼株式会社
【課題】構造が簡単で、高い磁界検出感度を有し、しかも温度変化等による誤差が無く、印加された磁界強度の絶対値が検出可能な磁界センサを提供すること。
【解決手段】本発明では、巨大磁気抵抗薄膜の両側に導体膜6を配置し、電気端子8および9を設けた素子10を導入し、また、素子5と素子10を2つのアームとするブリッジ回路を形成する。素子10の電気抵抗値の磁界に対する感度は小さな磁界では実質的に零でありながら、磁界印加以外の要因による電気抵抗値変化は素子5と等しい。ブリッジの出力電圧は、素子5と素子10の電気抵抗値の差に比例するため、ブリッジの出力電圧からは巨大磁気抵抗薄膜の温度変化等、磁界印加に原因する以外の変化要因は相殺され、従って、正確な印加磁界の値を得ることができる。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 259
特願2004-324720 (H16/11/09)
特開2005-164582 (H17/06/23)
特許第4142631号 (H20/06/20)
放棄 (H23/06/20)
磁北検出装置及び磁北検出方法
外国出願:外国特許:(放棄)
矢野 健
白川 究
小林 伸聖
本発明は、フイルム上に磁区制御された軟磁性膜を提供する。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 548
特願2004-344430(H16/11/29)
特開2006-156661(H18/06/15)
特許第4953569号
薄膜磁気抵抗素子及びその製造方法並びに薄膜磁気抵抗素子を用いた磁気センサ 小林 伸聖
白川 究
村上 進
共同出願人 アルプス電気株式会社 高橋 裕子
福井 洋文
畑内 隆史
伊藤 卓雄
特許権者 電磁材料研究所
【課題】高い磁界感度を有し、かつその直線性が良好な薄膜磁気抵抗素子を提供すること、かかる薄膜磁気抵抗素子を安価且つ容易に製造する方法を提供すること、前記薄膜磁気抵抗素子を用いた実用的な磁気センサを提供すること。
【解決手段】薄膜磁気抵抗素子1Aを、絶縁基板2と、絶縁基板2上に形成され、一端が所要のギャップgを介して対向に配置された帯状の第1軟磁性膜3及び第2軟磁性膜4と、第1軟磁性膜3の上面のギャップg寄りの部分及び第2軟磁性膜4の上面のギャップg寄りの部分にそれぞれ形成された非磁性絶縁膜5と、ギャップg内の絶縁基板2上、ギャップgを臨む第1及び第2の軟磁性膜3,4の端面、並びにこれに続く非磁性絶縁膜5の端面と上面の一部に形成された巨大磁気抵抗薄膜6とから構成する。
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