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公益財団法人電磁材料研究所
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知的財産権平成19年(2007年)度

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平成18年(2006年)度                                              平成20年(2008年)度
 

平成19年(2007年)度

平成19年(2007年)度
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 264
特願2008-095533 (H20/03/04)
特開2009-212480 (H21/09/17)
特許第5389370号 (H25/10/18)
強磁性薄膜材料とその製造方法 阿部 世嗣
大沼 繁弘
一般式L100-x-YFexOy(但し、90≦x+y<100,27≦x≦67,37≦y≦67,L:Mo、W、Ge、CrおよびMgの1種または2種以上の元素、各数字は原子比率を示す)で表される強磁性薄膜材料を、薄膜製造装置、例えば、高周波スパッタリング装置を用いて成膜し、磁化が2500 G以上、好ましくは3000 G以上の磁化を有する強磁性Fe酸化物薄膜を提供する。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 265
特願2008-095534 (H20/03/04)
特開2009-209445 (H21/09/17)
特許第5313536号(H25/07/12)
光電子素子用薄膜材料の製造方法 阿部 世嗣
大沼 繁弘
1原子分率以上15原子分率以下のGeと、その他が主にTiおよびOから構成されるアモルファス薄膜を、高周波スパッタリング法により成膜し、これを熱処理することによりナノスケールのGe粒子と主にマトリクスであるアナタース型Ti酸化物結晶相を同時に含む複合構造薄膜材料の製造方法を新規に提供する。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 263
特願2007-059510 (H19/03/09)
特開2007-173863 (H19/07/05)
特許第4630882号 (H22/11/19)
一軸磁気異方性膜 大沼 繁弘
藤森 啓安
三谷 誠司
増本 健
一般式(Co1-aFea)100-x-yMxOyで示され、Mは Dy, Er, Gd, Hf, Li, Mg, Nd, Sc, Sr, Tm, Y, YbおよびZrのうちから選択される1種または2種以上の元素であり、その組成比aはa<0.3、xおよびyは原子%で8<x<12, 27<y<37で、且つ36<x+y<48である組成と少量の不純物からなり、異方性磁界が30 Oe以上100 Oe以下、電気比抵抗値が300 μΩcm以上1500 μΩcm以下及び飽和磁束密度が8 kG以上を有することを特徴とする一軸磁気異方性膜。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 551
特願2007-062035(H19/03/12)
特開2008-227081(H20/09/25)
特許第4194110号
磁気カプラ素子および磁気結合型アイソレータ豊島 克久
小林 伸聖
矢野 健
共同出願人 オムロン株式会社 山元 政昭
仮屋 雄一
特許権者 電磁材料研究所
【課題】高周波においても高いS/N比が得られる磁気カプラ素子および磁気結合型アイソレータを提供する。
【解決手段】入力電流に応じて磁界を発生させる励磁コイル7a、7bを含む磁界発生回路と、磁界発生回路で発生した磁界を印加することで抵抗値が変化する少なくとも1対の磁気抵抗効果素子9a、9bを含み、磁界発生回路が発生した磁界の強度に応じた電圧差を生じる2つの出力12a,12bを備える検出ブリッジ回路とを有する磁気カプラ素子2の、磁界発生回路および検出ブリッジ回路の幾何学形状を線対称または点対称にそれぞれ形成する。
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