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公益財団法人電磁材料研究所
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知的財産権平成20年(2008年)度

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平成19年(2007年)度                                              平成21年(2009年)度
 

平成20年(2008年)度

平成20年(2008年)度
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 552
特願2008-160780(H20/06/19)
特開2008-300851(H20/12/11)
特許第4194111号
磁気カプラ素子および磁気結合型アイソレータ 豊島 克久
小林 伸聖
矢野 健
共同出願人オムロン株式会社山元 政昭
仮屋 雄一
特許権者電磁材料研究所
【課題】高周波においても高いS/N比が得られる磁気カプラ素子および磁気結合型アイソレータを提供する。
【解決手段】入力電流に応じて磁界を発生させる励磁コイル7a,7bを含む磁界発生回路と、磁界発生回路で発生した磁界を印加することで抵抗値が変化する少なくとも1対の磁気抵抗効果素子9a、9bを含み、磁界発生回路が発生した磁界の強度に応じた電圧差を生じる2つの出力12a,12bを備える検出ブリッジ回路とを有する磁気カプラ素子2の、磁界発生回路および検出ブリッジ回路の幾何学形状を線対称または点対称にそれぞれ形成する。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 266
特願2008-232225 (H20/09/10)
特開2010-067769 (H22/03/25)
特許第4909327号 (H24/01/20)
磁気抵抗膜並びに磁気抵抗膜を用いた磁気記録用磁気ヘッド、磁気センサ及び磁気メモリー 小林 伸聖
増本 健
組成が一般式FeaCobNicSixMyFzで表わされ、MはMg,Al,Ca,Sr,Ba及びGdのうちから選択される1種又は2種以上の元素であり、かつ組成比a,b,c,x,y,zは原子比率で、0≦a≦60,0≦b≦60,0≦c≦60,20≦a+b+c≦60,0<x<10,9≦y≦40,15≦z≦50,30≦y+z≦70で表わされる、室温で5%以上の磁気抵抗比を示し、且つ1×104 μΩcm以上の電気抵抗率を有する耐熱性を高い磁気抵抗膜
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 267
特願2009-019957 (H21/01/30)
特開2010-174350 (H22/08/12)
特許第5059035号 (H24/08/10)
高弾性・恒弾性合金及びその製造法並びに精密機器 村上 雄悦
増本 剛
Co20~40%,Ni10~20%、Cr5~15%とCa,Sr,Baのそれぞれ2%以下のⅡa族元素及び当該Ⅱa族元素のフッ素化合物のそれぞれ1%以下の1種又は2種以上の合計0.0001~5%、及び残部Feからなる合金を、900℃以上融点未満の温度で焼鈍した後冷却し、ついで加工率50%以上の線引き加工を施して所望の太さの線材又は細線になした後、当該線材又は細線を550~720℃の温度で加熱することにより、ヤング率190 GPa以上及び0~40℃におけるヤング率の温度係数(-5~5)x10-5を有する高弾性・恒弾性合金
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 268
特願 2009-095284 (H21/03/17)
特開 2010-225565 (H22/10/07)
取下げ (H24/06/26)
光機能性デバイス用薄膜材料及びそれを用いた光半導体素子 薄井 洋行
阿部 世嗣
一般式(InSb)AlyO100-x-yで表される平均直径130 nm以下のInSbナノ粒子、又は一般式SbxAlyO100-x-y(但し、0<x≦40, 20≦y≦45, 各数字は原子分率を示す)で表される平均直径65 nm以下のSbナノ粒子が主にAl酸化物から構成される光機能性デバイス用薄膜材料並びにそれらを用いた光半導体素子を、薄膜製造装置、例えば高周波スパッタリング装置を用いて成膜を行う。
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