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知的財産権平成22年(2010年)度

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平成21年(2009年)度                                              平成23年(2011年)度
 

平成22年(2010年)度

平成22年(2010年)度
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 271
特願2010-214360 (H22/09/24)
特開2012-069428 (H24/04/05)
特許第5799312号 (H27/09/04)
薄膜誘電体 小林 伸聖
岩佐 忠義
横井 敦史
大沼 繁弘
ナノグラニュラー構造を有する薄膜誘電体:組成:一般式FeaCobNicMwNxOyFz,
M成分はMg,Al,Si,Ti,Y,Zr,Nb,Hf及び/又はTa,組成比a,b,c,w,x,y,zは原子比率(%)で、0≦a≦60,0≦b≦60,0≦c≦60,10<a+b+c<60,10≦w≦50,0≦x≦50,0≦y≦50,0≦z≦50,20≦x+y+z≦70,
a+b+c+w+x+y+z=100である;構造:Fe,Co及び/又はNiからなり、かつnmサイズを有する金属グラニュールが、M成分とN,O及びFの少なくとも1種からなる絶縁体マトリックスに分散している。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 272
特願2011-024384 (H23/02/07)
特開2011-117971 (H23/06/16)
特許第4988938号 (H24/05/11)
感温感歪複合センサ(整理番号242(平成12年度)の分割出願) 丹羽 英二
金子 秀夫
増本 剛
導電性基盤上に絶縁性膜を形成し、さらに当該絶縁性膜上に又は絶縁性基盤上に温度センサ材料及び歪センサ材料を成膜してなり、歪による温度測定誤差が0.5K以内で、かつ温度による歪量測定誤差百分率が50%以内の精度で温度及び歪を同時に検出する。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 273
特願2011-065337 (H23/03/24)
特開2012-201906 (H24/10/22)
特許第5558395号 (H26/06/13)
半導体ナノ複合構造薄膜材料およびその製造方法 阿部 世嗣
半導体ナノ複合構造薄膜材料は、一般式Ge100-x-yNbxOy(ただし、70≦x+y≦98、20≦x≦28、50≦y≦70であり、各元素の添字は原子比率を示す)で表され、その結晶構造が半導体ナノスケール粒子としてのGe相がマトリクスとしてのNb2O5相中に分散した複合構造を有する。この複合構造薄膜材料は、高周波スパッタリング法により上記一般式で表されるアモルファス薄膜を成膜し、これを不活性雰囲気中において500~800℃で熱処理して結晶化することにより製造される。
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