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知的財産権平成24年(2012年)度

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平成24年(2012年)度

平成24年(2012年)度
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 274
特願2012-155120 (H24/07/11)
特開2012-255212 (H24/12/27)
特許第5486050号 (H26/02/28)
高弾性・恒弾性合金及びその製造法並びに精密機器 増本 剛
村上 雄悦
【課題】高いヤング率を有し、その温度係数が小さい恒弾性合金、及びこれを使用した精密機器を提供する。

【解決手段】Co20~40%、Ni10~20%、Cr5~15%と、Ca、Sr、Baのそれぞれ2%以下のⅡa族元素及びⅡa族元素のフッ素化合物のそれぞれ1%以下の1種以上の合計0.0001~5%、及び副成分としてMo、Wをそれぞれ10%以下、V、Nb、Ta、Cu、Mn、Ti、Zr、Hfをそれぞれ7%以下、Au、Ag、白金族元素、Al、Si、希土類元素をそれぞれ5%以下、Be3%以下、B、Cをそれぞれ1%以下の1種以上の合計0.001~15%を含有する合金を、900℃以上融点未満の温度で焼鈍した後冷却し、加工率50%以上の線引き加工を施して所望の太さの線材とし、550~720℃の温度で加熱する。ヤング率190 GPa以上及び0~40℃におけるヤング率の温度係数(-5~5)×10-5を有する。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 275
特願2012-175857 (H24/08/08)
特開2014-035239 (H26/02/24)
特許第6084393号(H29/02/03)
歪センサ 丹羽 英二
【課題】歪印加方向に対する歪測定領域の長さまたは分解能を1 μmオーダーまで小さくすることができる歪センサを提供すること。

【解決手段】歪センサは、Crおよび不可避不純物からなるCr薄膜、またはCr、Nおよび不可避不純物からなるCr-N薄膜で構成され、測定のための電流が流れる方向である受感部の長手方向が歪印加方向と垂直をなし、かつそのゲージ率が3以上である。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 276
特願2012-188539 (H24/08/29)
特開2014-047361 (H26/03/17)
特許第6150478号
複相構造薄膜材料 阿部 世嗣
【課題】一括成膜によりナノスケール粒子相とマトリクス相とが良好に相分離することが可能であり、かつ量子サイズ効果を発現するナノスケールInSb結晶相と酸化物マトリクス結晶相から構成される複相構造薄膜材料を提供すること。

【解決手段】複相構造薄膜材料は、一般式(InSb)100-x-yxOy(ただし、70≦x+y≦98、23≦x≦49、35≦y≦65であり、MはTi、InおよびZnの少なくとも1種の元素、各数字は原子比率を示す)で表され、その構造が、InSbナノスケール粒子結晶相とマトリクスであるMの酸化物相とから構成される。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 561
特願2012-224557(H24/10/09)
特開2014-077673(H26/05/01)
特許第6045281号
ロードセル 丹羽 英二
共同出願人東洋測器株式会社金子 克也
松田 敦
駒田 広成
特許権者東洋測器株式会社、電磁材料研究所
【課題】従来よりも小型でかつ微小荷重に対応することができる超小型ロードセルを提供する。
【解決手段】超小型ロードセルは、起歪部2を含み、一体成型してなる構造体1と、前記起歪部2に貼り付けられた、検知材料としてCr-N薄膜を有する歪ゲージ3とを有する。一体成型した構造体1は、起歪部の両側に一対の固定用ネジ部4a、4bを有し、その一対の固定用ネジ部4a、4bのねじ穴5a、5bが一軸線上に存在し、その軸線が力の作用する軸線Lであり、起歪部2がこの力が作用する軸線L上に存在する。

 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 277
特願2012-222400 (H24/12/24)
特開2014-074661 (H26/04/24)
特許第6022881号 (H28/10/14)
歪ゲージ 丹羽 英二
【課題】検知材料として薄膜を用い、測定対象に貼り付けまたは密着させて使用する、高感度でかつ歪伝達性が良好な歪ゲージを提供すること。

【解決手段】測定対象に貼り付けまたは密着させて使用する歪ゲージであって、金属または半金属の酸化物、窒化物または炭化物からなる電気絶縁性のセラミックスからなり、厚さが80 μm以下の基板と、基板上に形成された薄膜からなる検知材料とを有する。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 278
特願2013-049497 (H25/03/12)
特開2014-175617 (H26/09/22)
特許第6210401号
高電気抵抗強磁性薄膜 小林 伸聖
岩佐 忠善
直江 正幸
【課題】GH帯域において透磁率が安定していることが要求される電子部品に適した磁性薄膜を提供する。

【解決手段】一軸磁気異方性を有する強磁性薄膜の組成は一般式L100-a-bMaFbで示され、LはFe,Coおよび/またはNiであり、MはLi、Be、Mg、Al、Ca、Sr、Baおよび/またはYであり、Fはフッ素であり、かつ組成比a、bは原子比率であり、aが9%以上50%以下、bの原子比率が16%以上60%以下であり、かつa+bの合計の原子比率が25%以上70%以下である。薄膜の電気抵抗率が1.5×103 μohm・cm以上、飽和磁化が5 kG以上、かつ異方性磁界が10 Oe以上である。
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