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知的財産権平成25年(2013年)度

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平成25年(2013年)度

平成25年(2013年)度
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 279
特願2013-162548 (H25/08/05)
特開2015-031633 (H27/02/16)
特許6159613号
歪センサ 丹羽 英二
佐々木 祥弘
白川 究
【課題】ゲージ率が高く、さらなる安定性を有する歪センサを提供する。

【解決手段】歪センサは、Cr、Nおよび不可避不純物からなるCr-N薄膜で構成され、ゲージ率が3以上であり、かつゲージ率の温度係数および抵抗の温度係数がいずれも-1000 ppm/℃~+1000 ppm/℃の範囲内である。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 562
特願2013-210603(H25/10/07)
特開2015-075362(H27/04/20)
特許6216598号
単位素子対及び薄膜磁気センサ 金田 安司
早坂 淳一
共同出願人大同特殊鋼株式会社小山 恵史
戸塚 巡
特許権者大同特殊鋼株式会社、電磁材料研究所
【課題】】温度センサや加熱コイルを用いることなく、温度の変動に起因する出力の変化を抑制することが可能な単位素子対、及び、これを用いた薄膜磁気センサを提供すること。
【解決手段】 単位素子対(A)は、磁気抵抗変化率MR1の温度係数α1が正である少なくとも1つの第1単位素子と、磁気抵抗変化率MR2の温度係数α2が負である少なくとも1つの第2単位素子とを備え、第1単位素子及び第2単位素子は、感磁方向が略平行となるように電気的に直列に接続されている。第1単位素子及び第2単位素子は、それぞれ、軟磁性材料からなる一対の薄膜ヨークと、薄膜ヨークのギャップ内又はその近傍に形成されたGMR膜とを備えている。薄膜磁気センサは、単位素子対(A)と、第2抵抗素子とが電気的に直列に接続されたハーフブリッジ回路、又は、前記ハーフブリッジ回路を2つ組み合わせたフルブリッジ回路を備えている。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 280
特願2013-237217 (H25/11/15)
特開2015-096840 (H27/05/21)
磁性物体検知器 金田 安司
早坂 淳一
【課題】高感度で、磁性物体の動的状態を検知する範囲が広く、磁性物体の通過経路を貫通孔により制限される必要がない磁性物体検知器を提供する。

【解決手段】磁性物体の動的状態による磁界の変化により磁性物体を検知する磁性物体検知器は、磁性物体が通過する領域に磁界を発生させる磁界発生手段と、磁界発生手段から発生した磁界の磁性物体の通過による変化を検知する磁界検知器と、磁界検知器の出力を処理するための信号処理回路とを具備する。磁界発生手段は、それぞれ一対の磁極を有する、第1の磁界発生源および第2の磁界発生源を有し、第1の磁界発生源の一方の磁極と第2の磁界発生源の一方の磁極とが同一の平面内に存在する。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 281
特願2014-025533 (H26/02/13)
特開2015-151572 (H27/08/24)
鉄酸化物薄膜およびその製造方法 阿部 世嗣
増本 健
【課題】主にマグへマイト結晶相からなる鉄酸化物薄膜およびその製造方法を提供する。

【解決手段】一般式Fe100-x-yMgxOy(ただし、60≦x+y≦66、0<x≦15、51≦y≦60であり、各数字は原子比率を示す)で表され、成膜状態における構造が主にマグへマイト(γ-Fe2O3)結晶相である鉄酸化物薄膜である。この鉄酸化物薄膜は、ターゲットとして、ヘマタイト(α-Fe2O3)ターゲット上にMgのチップを配置した複合ターゲットを用いて、スパッタリング法により得ることができる。
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