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知的財産権平成30年(2018年)度

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平成30年(2018年)度

平成30年(2018年)度
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 303
特願2018-082592(H30/4/23)
特開2019-192740(R01/10/31)
歪抵抗膜および歪センサ、ならびにそれらの製造方法 丹羽 英二
【課題】所定の高温領域において、高いゲージ率および温度安定性を示す歪抵抗膜および歪センサ、ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】一般式Cr100-x-yAlxNy(ただし、x、yは原子比率(at.%)であり、4≦x≦25、0.1≦y≦20である。)で表され、-50℃以上300℃以下の温度範囲において、ゲージ率が4以上である歪抵抗膜を得る。この歪抵抗膜が起歪構造体上に形成することにより歪センサが得られる。歪薄膜は、上記組成の薄膜に、300℃以上700℃以下の温度で熱処理を施すことにより得られる。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 304
特願2018-091074(H30/5/10)
特開2019-197668(R01/11/14)
誘電性薄膜およびその製造方法 池田 賢司
小林 伸聖
岩佐 忠義
荒井 賢一
【課題】屈折率を可変に制御しうる誘電性薄膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性マトリックスと、これの中に分散している金属粒子(Fe、CoおよびNiのうち少なくとも1つからなる)とからなる本発明の誘電性薄膜は、組成式FeaCobNicMwNxOyFzで表わされる。MはMg、Al、Si、Ca、Ti、Y、Zr、Nb、Ba、HfおよびTaからなる群から選択される少なくとも1つの元素である。組成比a、b、c、w、x、y、zは原子比率で、0≦a≦0.35、0≦b≦0.35、0≦c≦0.35、0.23≦a+b+c≦0.35、0.10≦w≦0.50、0≦x≦0.50、0≦y≦0.50、0≦z≦0.50、0.20≦x+y+z≦0.70、かつ、a+b+c+w+x+y+z=1である。絶縁性マトリックスの結晶子サイズが4.0nm以上の範囲に含まれている。
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