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知的財産権平成29年(2017年)度

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平成29年(2017年)度

平成29年(2017年)度
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 299
特願2017-201731(H29/10/18)
特開2019-074452(R01/05/16)
薄膜ひずみセンサ材料および薄膜ひずみセンサ 丹羽 英二
【課題】垂直配置におけるゲージ率がほぼゼロで、平行配置におけるゲージ率が大きい薄膜ひずみセンサ材料および薄膜ひずみセンサを提供する。
【解決手段】一般式Cr100-xで表される薄膜ひずみセンサ材料であって、その材料のネール温度の高温側において、その材料の薄膜が測定対象のひずみの方向に垂直な方向に配置された場合のゲージ率が0±0.3以内となるように、組成比xが原子%で0≦x≦30の範囲で第2元素Mを添加する。第2元素MがNiの場合は、組成比xが原子%で5≦x≦22であり、第2元素MがFeの場合は、組成比xが原子%で17≦x≦28である。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 300
特願2017-201735(H29/10/18)
特開2019-074454(R01/05/16)
熱安定性に優れ、高歪ゲージ率を有する歪センサ用薄膜合金 白川 究
佐々木 祥弘
村上 進
【課題】TCRおよびTCSが小さく熱的安定性に優れ、かつ高歪ゲージ率を有する歪センサ用薄膜合金を提供する。
【解決手段】一般式Cr100-x-yーzAl(ただし、x、y、zは原子比率(at.%)であり、0.05≦x<12、0≦y<25、0≦z<10であり、Mは、Mo、Fe、Co、Wから選択された少なくとも1種である)で表される熱安定性に優れ、高歪ゲージ率を有する歪センサ用薄膜合金を提供する。本薄膜合金は、抵抗の時間変化が、20ppm/H以下であることが好ましく、TCRおよびTCSの双方、またはこれらのいずれか一方が、-200~+200ppm/℃の範囲内であることが好ましい。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 301
特願2017-231649(H29/12/01)
特開2018-91848(H30/06/14)
優先権主張番号 特願2016-234835
歪抵抗膜および歪センサ、ならびにそれらの製造方法 丹羽 英二
【課題】所定の高温領域において、高いゲージ率および温度安定性を示す歪抵抗膜および歪センサ、ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】一般式Cr100-x-yAl(ただし、x、yは原子比率(at.%)であり、4≦x≦25、0.1≦y≦20である。)で表され、-50℃以上300℃以下の温度範囲において、ゲージ率が3以上である歪抵抗膜を得る。この歪抵抗膜が起歪構造体上に形成することにより歪センサが得られる。このとき、上記組成の薄膜に、300℃以上700℃以下の温度で熱処理を施すことにより、歪抵抗膜が製造される。
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