丹羽主席研究員が「高温域で安定な高ゲージ率を示すCr-Al-N薄膜ひずみセンサ優秀ポスター賞」を受賞
平成29年10月31日に広島市において開催された、第34回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウムで、丹羽主席研究員が発表した「高温域で安定な高ゲージを示すCr-Al-N薄膜ひずみセンサ」(31pm3-PS-56)に関するポスターに対し、優秀ポスター賞が11月2日に授与されました。
発表題目:高温域で安定な高ゲージ率を示すCr-Al-N薄膜ひずみセンサ
発表先期間:第34回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム
発表者(所属部門):丹羽英二(デバイス用高機能材料開発部門)
発表日:2017年10月31日(火)
発表会場:広島国際会議場(広島市)
論文番号:31pm3-PS-56
発表概要:高温において優れた感度温度係数(TCS)特性と大きなゲージ率(Gf)を示す材料を得ることを目的としてCr-Al-N薄膜について調べた。その結果、Alを少量添加したCr-Al-N薄膜は約450℃まで比較的大きな6~8のGfを示すとともに抵抗の経時変化は小さく、さらに-50℃~300℃の温度領域において約8のほぼ一定なGfを示すことを明らかにした。それらの温度領域で使用可能な、従来に無い、安定で高感度なひずみセンサとして有望であり、自動車のミッションオイル圧およびエンジン燃焼圧の計測ならびに各種発電施設や油田等での装置振動および圧力の測定など様々な分野で利用可能と考えられる。今後、作製条件の検討によりさらなる高性能化を目指す。