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公益財団法人電磁材料研究所
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平成27年(2015年)度

平成27年(2015年)度
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 287
特願2015-176032 (H27/09/07)
特開2017-053655 (H29/03/16)
薄膜磁界センサおよびアレイ型薄膜磁界センサ 早坂 淳一
白川 究
小林 伸聖
荒井 賢一
【課題】磁気バイアス機構としての薄膜磁石からの漏洩磁界が極めて小さい薄膜磁界センサおよびそのような薄膜磁界センサを複数個有するアレイ型薄膜磁界センサを提供する。

【解決手段】薄膜磁界センサ10は、外部磁場に対して電気抵抗が変化する磁気抵抗薄膜1と、磁気抵抗薄膜1の両側に配された一対の軟磁性薄膜2と、磁気抵抗薄膜1に対して磁気バイアスを与える薄膜磁石3とを有する。薄膜磁石3は基板4上に形成され、軟磁性薄膜2は、薄膜磁石3の上に形成されるとともに、薄膜磁石3の少なくとも磁極を含む部分を覆うように設けられている。また、薄膜磁界センサ10を基板上に複数個配置することにより、アレイ型薄膜磁界センサが形成される。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 288
特願2015-163849 (H27/08/21)
特開2017-041599 (H29/02/23)
超高周波強磁性磁性薄膜とその製造方法 直江 正幸
飯塚 昭光
【課題】電子機器の電磁誘導性電子デバイスに適した磁性薄膜を提供する。

【解決手段】膜面内一軸磁気異方性を有する強磁性薄膜の組成(原子比率)は、一般式L100-a-bMaFbで示され、LはFe、Co及び/又はNiであり、MはLi、Mg、Al、Ca、Sr、Ba、Gd及び/又はYである。Fはフッ素であり、かつ、組成比aが3%以上7%未満、bが6%以上18%未満であり、かつ、a+bの合計が10%以上24%以下、すなわちLが76%以上以上90%以下である組成を有し、Lからなる金属及びMとFのフッ化物が混合した組織をもつ・飽和磁化が3.5kG以上21.5kG以下、かつ、異方性磁界が300Oe以上であって、高周波透磁率の強磁性共鳴周波数が7GHz以上であり、さらには、比抵抗が1.0×102μオーム・cm以上である。
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