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知的財産権平成27年(2015年)度

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平成27年(2015年)度

平成27年(2015年)度
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 286
特願2015-165452 (H27/08/25)
特開2016-075664 (H28/05/12)
位置・姿勢検出装置 若生 直樹
早坂 淳一
荒井 賢一
【課題】磁気シールドルーム等を用いることなく、地上の座標系に対する姿勢(向き)を検出することが可能である位置・姿勢検出装置を提供する。

【解決手段】位置・姿勢検出装置は、1個の磁気双極子からなる磁気マーカと、磁気マーカが発生する磁場を検出する複数のベクトル磁気センサとを具備し、磁気マーカは交流磁性マーカからなり、ベクトル磁気センサが2軸ベクトル磁気センサの場合は3個以上、3軸ベクトル磁気センサの場合は2個以上であり、磁気マーカとベクトル磁気センサとは電気的に絶縁され、磁気マーカが発生する磁場をベクトル磁気センサで検出することにより得られた6個以上の磁界データを用いて、磁気マーカの位置および方向ベクトルを求める。1軸ベクトル磁気センサを用いる場合は6個以上である。また、ベクトル磁気センサの他に、磁気マーカの同期信号を検知する同期信号用磁気センサを具備する。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 287
特願2015-176032 (H27/09/07)
特開2017-053655 (H29/03/16)
薄膜磁界センサおよびアレイ型薄膜磁界センサ 早坂 淳一
白川 究
小林 伸聖
荒井 賢一
【課題】磁気バイアス機構としての薄膜磁石からの漏洩磁界が極めて小さい薄膜磁界センサおよびそのような薄膜磁界センサを複数個有するアレイ型薄膜磁界センサを提供する。

【解決手段】薄膜磁界センサ10は、外部磁場に対して電気抵抗が変化する磁気抵抗薄膜1と、磁気抵抗薄膜1の両側に配された一対の軟磁性薄膜2と、磁気抵抗薄膜1に対して磁気バイアスを与える薄膜磁石3とを有する。薄膜磁石3は基盤4上に形成され、軟磁性薄膜2は、薄膜磁石3の上に形成されるとともに、薄膜磁石3の少なくとも磁極を含む部分を覆うように設けられている。また、薄膜磁界センサ10を基板上に複数個配置することにより、アレイ型薄膜磁界センサが形成される。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 288
特願2015-163849 (H27/08/21)
特開2017-041599 (H29/02/23)
超高周波強磁性磁性薄膜とその製造方法 直江 正幸
飯塚 昭光
【課題】電子機器の電磁誘導性電子デバイスに適した磁性薄膜を提供する。

【解決手段】膜面内一軸磁気異方性を有する強磁性薄膜の組成(原子比率)は、一般式L100-a-bMaFbで示され、LはFe、Co及び/又はNiであり、MはLi、Mg、Al、Ca、Sr、Ba、Gd及び/又はYである。Fはフッ素であり、かつ、組成比aが3%以上7%未満、bが6%以上18%未満であり、かつ、a+bの合計が10%以上24%以下、すなわちLが76%以上以上90%以下である組成を有し、Lからなる金属及びMとFのフッ化物が混合した組織をもつ・飽和磁化が3.5kG以上21.5kG以下、かつ、異方性磁界が300Oe以上であって、高周波透磁率の強磁性共鳴周波数が7GHz以上であり、さらには、比抵抗が1.0×102μオーム・cm以上である。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 289
特願2015-229545(H27/11/25)
特開2017-098423(H29/06/01)
透光磁性体 小林 伸聖
石田 今朝雄
岩佐 忠義
【課題】高い磁化および良好な透光性を有し、かつ近赤外領域で優れた磁気光学特性を示し、種々の光通信デバイスに適用可能な透光性磁性体を提供する。
【解決手段】LをFe、Co、Niから選択される1種以上の元素、MをLi、Be、Mg、Al、Si、Ca、Sr、Ba、Bi、希土類元素から選択される少なくとも1種以上の元素、Fをフッ素とした場合に、L-M-Fで表される組成を有し、Mの原子比率が10%以上40%以下で、Fの原子比率が20%以上70%以下で、かつMとFの合計の原子比率が60%以上であることを特徴とする透光性磁性体。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 567
特願2016-15972(H28/1/29)
特開2017-135330(H29/08/03)
軟磁性粉末及び当該軟磁性粉末によって成形された軟磁性体、並びに当該軟磁性粉末及び当該軟磁性体の製造方法 大沼 繁弘
直江 正幸
共同出願人アイシン精機株式会社神谷 良久
寺澤 俊久
塚原 誠
萩野 達也
【課題】低い保磁力及び高い透磁率を維持しつつ低い鉄損を達成し得る軟磁性粉末及び当該軟磁性粉末によって成形された軟磁性体、並びに当該軟磁性粉末及び当該軟磁性体の製造方法を提供する。
【解決手段】Fe-Si系鉄基軟磁性粒子を900℃以上且つ1100℃以下の温度における不活性雰囲気中での熱処理に付すことによりFe-Si系鉄基軟磁性粒子の表面に酸化珪素膜を形成する酸化膜形成工程と、酸化珪素膜の表面にマグネシウム含有フェライト膜を形成する絶縁膜形成工程とを含む方法により軟磁性粉末を製造する。酸化珪素膜は、0.5μm以上であり且つ1.0μm以下の厚みを有する。マグネシウム含有フェライト膜は例えばメカノフュージョン法によって形成され得る。上記軟磁性粉末を加圧して圧粉成形体を作製する圧粉工程と、圧粉成形体を焼結して焼結体とする焼結工程とを含む方法により軟磁性体を製造する。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 568
特願2016-049668(H28/3/14)
特開2017-166847(H29/09/21)
力センサの設計方法 丹羽 英二
共同出願人トヨタ自動車株式会社黒木 義博
小坂 雄介
砂子 貴之
【課題】力センサの設計方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る力センサ1の設計方法は、力センサ1が板状体2と、板状体の一面2aから突出する円柱部3と、円柱部の基端に形成された円環状の溝部4からなる起歪部Bと、板状体の他面2b側に配置された複数の歪みゲージRとを有し、溝部は、基端に沿って延在する第1側壁と、第1側壁5と第1曲率Raを有する第1角部6aによって連続する底部6と、底部と第2曲率Rbを有する第2角部によって連続し第1側壁に対向して延在する第2側壁とからなるものであり、第1曲率と、第2曲率と、底部から他面までの厚みと、溝部の幅と、のそれぞれの形状パラメータを設定するステップと、構造解析により、円柱部に所定の負荷を与えた状態において、起歪部に発生する最大応力が所定の許容応力より小さくなるようにそれぞれの形状パラメータの解を決定するステップとを有する処理をコンピュータに実行させる。
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