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公益財団法人電磁材料研究所
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知的財産権

 

平成27年(2015年)度

平成27年(2015年)度
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 285
特願2015-010312 (H27/01/22)
特開2016-133483 (H28/07/25)
金属検出機 早坂 淳一
若生 直樹
荒井 賢一
【課題】低消費電力でありながら、微小な金属に対する検出感度を高くすることができる金属検出機を提供する。

【解決手段】金属検出機は、被検体に磁界を印加する磁界発生部1と、被検体に含有する金属によって生じる磁界の変化を検出する磁界検出部2とを備える。磁界発生部1は、信号発生源と、電力増幅部と、励磁コイルおよび第1コンデンサからなる励磁回路とを有し、磁界検出部2は、検出コイルおよび第2コンデンサからなる検出回路と、検出された検出信号を信号処理する信号処理回路とを有し、励磁回路と検出回路とは共振系を構成し、信号発生源の周波数は、その共振系の共振周波数であるか、または共振周波数の±10%以内の周波数である。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 286
特願2015-165452 (H27/08/25)
特開2016-075664 (H28/05/12)
位置・姿勢検出装置 若生 直樹
早坂 淳一
荒井 賢一
【課題】磁気シールドルーム等を用いることなく、地上の座標系に対する姿勢(向き)を検出することが可能である位置・姿勢検出装置を提供する。

【解決手段】位置・姿勢検出装置は、1個の磁気双極子からなる磁気マーカと、磁気マーカが発生する磁場を検出する複数のベクトル磁気センサとを具備し、磁気マーカは交流磁性マーカからなり、ベクトル磁気センサが2軸ベクトル磁気センサの場合は3個以上、3軸ベクトル磁気センサの場合は2個以上であり、磁気マーカとベクトル磁気センサとは電気的に絶縁され、磁気マーカが発生する磁場をベクトル磁気センサで検出することにより得られた6個以上の磁界データを用いて、磁気マーカの位置および方向ベクトルを求める。1軸ベクトル磁気センサを用いる場合は6個以上である。また、ベクトル磁気センサの他に、磁気マーカの同期信号を検知する同期信号用磁気センサを具備する。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 287
特願2015-176032 (H27/09/07)
特開2017-053655 (H29/03/16)
薄膜磁界センサおよびアレイ型薄膜磁界センサ 早坂 淳一
白川 究
小林 伸聖
荒井 賢一
【課題】磁気バイアス機構としての薄膜磁石からの漏洩磁界が極めて小さい薄膜磁界センサおよびそのような薄膜磁界センサを複数個有するアレイ型薄膜磁界センサを提供する。

【解決手段】薄膜磁界センサ10は、外部磁場に対して電気抵抗が変化する磁気抵抗薄膜1と、磁気抵抗薄膜1の両側に配された一対の軟磁性薄膜2と、磁気抵抗薄膜1に対して磁気バイアスを与える薄膜磁石3とを有する。薄膜磁石3は基板4上に形成され、軟磁性薄膜2は、薄膜磁石3の上に形成されるとともに、薄膜磁石3の少なくとも磁極を含む部分を覆うように設けられている。また、薄膜磁界センサ10を基板上に複数個配置することにより、アレイ型薄膜磁界センサが形成される。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 288
特願2015-163849 (H27/08/21)
特開2017-041599 (H29/02/23)
超高周波強磁性磁性薄膜とその製造方法 直江 正幸
飯塚 昭光
【課題】電子機器の電磁誘導性電子デバイスに適した磁性薄膜を提供する。

【解決手段】膜面内一軸磁気異方性を有する強磁性薄膜の組成(原子比率)は、一般式L100-a-bMaFbで示され、LはFe、Co及び/又はNiであり、MはLi、Mg、Al、Ca、Sr、Ba、Gd及び/又はYである。Fはフッ素であり、かつ、組成比aが3%以上7%未満、bが6%以上18%未満であり、かつ、a+bの合計が10%以上24%以下、すなわちLが76%以上以上90%以下である組成を有し、Lからなる金属及びMとFのフッ化物が混合した組織をもつ・飽和磁化が3.5kG以上21.5kG以下、かつ、異方性磁界が300Oe以上であって、高周波透磁率の強磁性共鳴周波数が7GHz以上であり、さらには、比抵抗が1.0×102μオーム・cm以上である。
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