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公益財団法人電磁材料研究所
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知的財産権

 

平成28年(2016年)度

平成28年(2016年)度
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 290
特願2016-169410(H28/08/31)
特開2018-36143(H30/03/08)
歪抵抗膜およびその製造方法、ならびに高温用歪センザおよびその製造方法 丹羽 英二
【課題】所定の高温領域において、実用的なゲージ率を示し、かつゲージ率の安定性が高い歪抵抗膜およびその製造方法、ならびに、そのような歪抵抗膜を用いた高温用歪センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】クロミウム(Cr)からなる薄膜を形成し、300℃以上800℃以下における使用する上限温度よりも50℃以上高い温度で大気中において30分以上4時間以下の熱処理を施し、350℃から800℃までの温度範囲において、ゲージ率が3以上、ゲージ率の温度係数が2000ppm/℃以下である歪抵抗膜を得る。この歪抵抗膜を歪材料として用いて歪センサを構成する。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 291
特願2016-234833(H28/12/02)
特開2018-90856(H30/06/14)
高温で熱安定性に優れた歪センサ用薄膜合金 白川 究
佐々木 祥弘
村上 進
【課題】TCRおよびTCSが小さいとともに高温で抵抗の時間的変化が小さい、高温で熱安定性に優れた歪センサ用薄膜合金を提供する。
【解決手段】一般式Cr100-x-yAlxBy(ただし、x、yは原子比率(at.%)であり、1<x<20、0≦y<10である)で表される歪センサ用薄膜合金を提供する。本薄膜合金は、抵抗の時間変化が、20ppm/℃以下であることが好ましく、TCRおよびTCSの双方、またはこれらのいずれか一方が、-200~+200ppm/℃の範囲内であることが好ましい。また、比抵抗率は250μΩ・cm以上であることが好ましい。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 292
特願2016-234834(H28/12/02)
特開2018-91705(H30/06/14)
歪抵抗膜および高温度用歪センサ、ならびにそれらの製造方法 丹羽 英二
【課題】所定の高温領域において、高いゲージ率を示す歪抵抗膜およびその製造方法、ならびに、そのような歪抵抗膜を用いた高温用歪センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】一般式Cr100-xMnx(ただし、xは原子比率(at.%)であり、0.1≦x≦34である)または一般式Cr100-xAlx(ただし、xは原子比率(at.%)であり、4≦x≦25である)で表され、かつ使用温度範囲が250℃以上500℃以下であり、その使用温度範囲においてゲージ率が6以上である。このとき、上記組成の薄膜を形成し、250℃以上500℃以下における使用する上限温度よりも50℃以上高い温度で大気中において30分以上4時間以下の熱処理を施す。この歪抵抗膜を起歪構造体上に形成することにより高温用歪センサを得る。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 294
特願2016-254398(H28/12/27)
特開2018-104784(H30/07/05)
鉄酸化物薄膜およびその製造方法 阿部 世嗣
【課題】質のさらなる向上が図られた鉄酸化物薄膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ヘマタイト(α-Fe2O3)からなるターゲット1の表面に、Cuチップ2が配置されている複合ターゲットが用いられる。Ar等の不活性雰囲気において、この複合ターゲットを用いたスパッタリング法により、基板3の上に鉄酸化物薄膜4が成膜される。鉄酸化物薄膜4は、一般式Fe1-x-yCuxOyで表されるようにCuが添加され、かつ、実質的にマグヘマイト(γ-Fe2O3)結晶相からなる。0.03≦x≦0.125、0.58≦y≦0.61、かつ、0.295≦1-(x+y)≦0.36である。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 295
特願2017-46278(H29/03/10)
特開2018-151203(H30/09/27)
圧力センサ 丹羽 英二
【課題】高圧力下でも高感度で圧力を測定することができ、安価でかつ安全な圧力センサを提供する。
【解決手段】圧力センサは、基板1と、基板1上に形成されたCr薄膜またはCr-N薄膜からなる受感部2とを有し、起歪体を用いることなく、受感部2の面直方向あるいは三次元等方的方向からの圧力による圧縮応力に基づく出力変化の値から受感部2が受けた圧力を検出する。基板1としてはジルコニア等のセラミックスが好ましい。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 296
特願2017-46279(H29/03/10)
特開2018-151204(H30/09/27)
水素ガス環境用歪センサ 丹羽 英二
【課題】水素ガス環境下において高感度で歪を検出することができ、安価である歪センサを提供する。
【解決手段】圧力センサは、起歪体1と、起歪体1上に絶縁体2を介して形成されたCr薄膜またはCr-N薄膜からなる受感部3とを有し、受感部3により起歪体に生じた歪を検出する。起歪体1を絶縁材料で形成すれば、Cr薄膜またはCr-N薄膜からなる受感部3は起歪体1の上に直接形成すればよい。また、絶縁材料からなる基板4の上にCr薄膜またはCr-N薄膜からなる受感部3を形成し、基板4を起歪体1に貼り付けても良い。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 297
特願2017-37572(H29/02/28)
特開2018-142514(H30/09/13)
誘電性薄膜およびその製造方法 池田 賢司
小林 伸聖
岩佐 忠義
荒井 賢一
【課題】誘電特性のさらなる向上を図り得る誘電性薄膜及びその製造方法の提供。
【解決手段】絶縁性マトリックスと、これの中に分散している金属粒子(Fe、Co又はNiのうち少なくとも1つからなる)とからなる誘電性薄膜は、組成式FeaCobNicMwNxOyFzで表される。MはMg、Al、Si、Ti、Y、Zr、Nb、HfおよびTaからなる群から選択される少なくとも1つの元素である。金属粒子の平均粒子径が3.0~4.0nmの範囲に含まれ、かつ、平均粒子間隔が0.1~1.0nm、好ましくは0.30~0.55nmの範囲に含まれており、粒子のアスペクト比が1.2~1.5の範囲に含まれ、緩和時間τが1.0×10-8[s]以下である誘電性薄膜。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 569
特願2016-135336(H28/07/07)
特開2018-4565(H30/01/11)
磁気センサモジュール 早坂 淳一
白川 究
小林 伸聖
荒井 賢一
【課題】高い感度を有しつつ小型化可能な磁気センサを備える磁気センサモジュールを提供すること。
【解決手段】磁気センサモジュール20の磁気センサ30は、第1磁気抵抗薄膜424及び第1固定抵抗薄膜444を含む第1センサ40と、第2磁気抵抗薄膜524及び第2固定抵抗薄膜544を含む第2センサ50とを備えている。第1磁気抵抗薄膜424の抵抗値は、磁界の増加に応じて増加し、第2磁気抵抗薄膜524の抵抗値は、磁界の増加に応じて減少する。第1磁気抵抗薄膜424の一端側は、第1固定抵抗薄膜444の一端側と接続されており、第2磁気抵抗薄膜524の一端側は、第2固定抵抗薄膜544の一端側と接続されている。第1磁気抵抗薄膜424の他端側と第2磁気抵抗薄膜524の他端側とは、互いに接続されており、第1固定抵抗薄膜444の他端側と第2固定抵抗薄膜544の他端側とは、互いに接続されている。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 570
特願2016-171729(H28/09/02)
特開2018-37605(H30/03/08)
圧電/電歪膜用金属部材及び該圧電/電歪用金属部材の製造方法 丹羽 英二
共同出願人株式会社イチネンケミカルズ野口 幸紀
林 晋也
須貝 一郎
【課題】金属基材表面に簡単に形成でき、緻密で絶縁性が高く、圧電/電歪膜の形成が可能な耐熱性絶縁被膜を備える圧電/電歪膜用金属部材を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁性被膜付圧電/電歪膜用金属部材は、金属基材表面に絶縁性被膜を備える。そして、上記金属基材がSUS材であり、上記絶縁性被膜が、スメクタイト粘土鉱物由来の粘土層を備え、上記絶縁性被膜の抵抗値が1.00×109Ω以上でることを特徴とする。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 571
特願2017-36802(H29/02/28)
特開2018-141209(H30/09/13)
アルミニウム合金線の製造方法 永洞 純一
共同出願人アイシン精機株式会社寺澤 俊久
神谷 良介
【課題】1回の工程で製造される生産量を増大させながら伸線加工性や耐屈曲性を向上させることが可能なアルミニウム合金線の製造方法を提供する。
【解決手段】Feを2.0重量%以上3.5重量%以下、Siを0.1重量%以上0.5重量%以下含有し、残部がAlおよび不可避不純物からなるアルミニウム合金の溶湯を鋳造して50mm以上の直径を有する鋳造材を形成する鋳造工程と、鋳造工程で得られた鋳造材に対して中間熱処理を施す第一熱処理工程と、第一熱処理工程で得られた鋳造材を伸線加工して線材を形成する第一伸線工程と、第一伸線工程で得られた線材に対して中間熱処理を施す第二熱処理工程と、第二熱処理工程で得られた線材を伸線加工する第二伸線工程と、第二伸線工程で得られた線材に対して軟化熱処理を施す軟化工程と、を備えている。
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