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知的財産権平成17年(2005年)度

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平成16年(2004年)度                                              平成18年(2006年)度
 

平成17年(2005年)度

平成17年(2005年)度
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 549
特願2005-118302(H17/04/15)
特開2006-300540(H18/11/02)
特許第4520353号
薄膜磁気センサ 白川 究
共同出願人 大同特殊鋼株式会社 金田 安司
長田 誠一
特許権者 大同特殊鋼株式会社、電磁材料研究所
【課題】GMR膜を用いた薄膜磁気センサにおいて、素子を大型化することなく、適度な電気抵抗値と高い磁界感度とを同時に達成すること。
【解決手段】 巨大磁気抵抗効果を有するGMR膜112両端に軟磁性材料からなる薄膜ヨーク14、14が電気的に接続された複数個の単位素子16…を備え、複数個の単位素子16…は、薄膜ヨーク14、14の後端部において電気的に並列に接続されている薄膜磁気センサ10。また、巨大磁気抵抗効果を有するGMR膜22と、GMR膜22の両端に電気的に接続された、軟磁性材料からなる薄膜ヨーク24、24と、薄膜ヨーク24、24の感磁方向の反磁界が小さくなるように、少なくとも薄膜ヨーク24、24を複数個の領域に磁気的に分割するスリット24a…を備えている薄膜磁気センサ20。
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 550
特願2005-171835(H17/06/13)
特開2006-351563(H18/12/28)
特許第4624864号
薄膜磁気センサ 白川 究
共同出願人 大同特殊鋼株式会社 金田 安司
長田 誠一
特許権者 大同特殊鋼株式会社、電磁材料研究所
【課題】GMR膜を用いた薄膜磁気センサにおいて、アニール処理に伴うGMR膜の電気抵抗Rの変化率のGMR単独膜との差、及び、センサ間の差をなくし、薄膜磁気センサのS/N比の低下を抑制すること。
【解決手段】下地膜12と、下地膜12上に形成された薄膜ヨーク14、16と、ギャップg内又はその近傍に形成されたGMR膜18と、薄膜ヨーク14、16及びGMR膜18の表面を保護する保護膜20と、下地膜12とGMR膜18の界面及び/又は保護膜20とGMR膜18の界面に形成されたバリア層22、24とを備え、GMR膜18は、金属-絶縁体系ナノグラニュラー材料からなり、バリア層22、24は、フッ化物を含む材料からなる薄膜磁気センサ10。
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