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公益財団法人電磁材料研究所
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知的財産権平成18年(2006年)度

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平成17年(2005年)度                                              平成19年(2007年)度
 

平成18年(2006年)度

平成18年(2006年)度
 
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 アメリカ(US55)
出願US20060455331(H18/06/19)
公開US2006/0226835(H18/10/12)
登録US7218103
薄膜磁気センサ及びその製造方法白川 究
小林 伸聖
共同出願人 大同特殊鋼株式会社 金田 安司
特許権者 電磁材料研究所、大同特殊鋼株式会社
【課題】構造が簡単で、高い磁界検出感度を有し、しかも温度変化等による誤差が無く、印加された磁界強度の絶対値が検出可能な磁界センサを提供すること。
【解決手段】本発明では、巨大磁気抵抗薄膜の両側に導体膜6を配置し、電気端子8および9を設けた素子10を導入し、また、素子5と素子10を2つのアームとするブリッジ回路を形成する。素子10の電気抵抗値の磁界に対する感度は小さな磁界では実質的に零でありながら、磁界印加以外の要因による電気抵抗値変化は素子5と等しい。ブリッジの出力電圧は、素子5と素子10の電気抵抗値の差に比例するため、ブリッジの出力電圧からは巨大磁気抵抗薄膜の温度変化等、磁界印加に原因する以外の変化要因は相殺され、従って、正確な印加磁界の値を得ることができる。
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