Tunnel-Type Magneto-Dielectric Effect and Its Annealing Study in CoSiO2 Granular Films
掲載日 2018年5月30日
発表者 Yang Cao, Nobukiyo Kobayashi, Shigehiro Ohnuma, Hiroshi Masumoto
雑誌名等 Materials Transactions, Vol. 59, No. 4(2018)pp. 585 to 589
概要 我々が見出したナノグラニュラー膜のトンネル型磁気-誘電体(TMD)効果は、グラニュールペア間のスピン依存トンネル伝導によって生じ、室温で大きな誘電率変化を有することが特徴である。本報告では、金属と酸化物から成るCo-SiO2ナノグラニュラー膜のTMD特性とそのアニール効果について検討した。その結果、Co0.24(SiO2)0.76膜は108μΩ・mの高い電気抵抗率および1%のTDM比を示す。アニール処理においては、573Kまでの温度においてTMD効果が維持されることが分かった。さらに高い温度では、CoとSiO2界面との間の相互拡散が生じ、グラニュールの金属Coが酸化により特性の劣化が生じた。