試作・特許・共同受託研究に関するお問い合せ その他のお問い合せ
平成20年（2008年）度
番号（日付） 名称 発明者
整理番号　264
特願2008-95533（H20/03/01）
特開 2009-212480 		強磁性材料とその製造方法 阿部世嗣
大沼繁弘
一般式Ｌ１００−ｘ−ｙＦｅｘＯｙ（但し、９０≦ｘ＋ｙ＜１００，２７≦ｘ≦６７，３７≦ｙ≦６７，Ｌ：Ｍｏ、Ｗ、Ｇｅ、ＣｒおよびＭｇの一種または二種以上の元素、各数字は原子比率を示す）で表される強磁性薄膜材料を、薄膜製造装置、例えば、高周波スパッタリング装置を用いて成膜し、磁化が２５００Ｇ以上、好ましくは３０００Ｇ以上の磁化を有する強磁性Ｆｅ酸化物薄膜を提供する。
番号（日付） 名称 発明者
整理番号　265
特願2008-95534（H20/03/04）
特開 2009-209445 		光電子素子用薄膜材料の製造方法 阿部世嗣
大沼繁弘
１原子分率以上１５原子分率以下のＧｅと、その他が主にＴｉおよびＯから構成されるアモルファ ス薄膜を、高周波スパッタリング法により成膜し、これを熱処理することによりナノスケールの　　Ｇｅ粒子と主にマトリクスであるアナタース型Ｔｉ酸化物結晶相を同時に含む複合構造薄膜材料の製造方法を新規に提供する。
番号（日付） 名称 発明者
整理番号　266
特願2008-232225（H20/09/10）
特開 2010-67769 		磁気抵抗膜並びに磁気抵抗膜を用いた磁気記録用磁気ヘッド、磁気センサ及び磁気メモリー 小林伸聖
増本健
組成が一般式ＦｅaＣｏbＮｉcＳｉxＭyＦzで表わされ、ＭはＭｇ，Ａｌ,Ｃａ,Ｓｒ,Ｂａ及びＧｄのうちから選択される１種又は２種以上の元素であり、かつ組成比ａ,ｂ,ｃ,ｘ,ｙ,ｚは原子比率で、０≦ａ≦６０，０≦ｂ≦６０，０≦ｃ≦６０，２０≦ａ+ｂ+ｃ≦６０,０＜ｘ＜１０,９≦ｙ≦４０，１５≦ｚ≦５０，３０≦ｙ+ｚ≦７０で表わされる、室温で５％以上の磁気抵抗比を示し、且つ１×１０4μΩcm以上の電気抵抗率を有する耐熱性を高い磁気抵抗膜