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平成19年(2007年)度
番号(日付) 名称 発明者
整理番号 263
特願2007-59510(H19/03/13)
特開2007-173863
登録4630882(H22/11/19)
一軸磁気異方性膜 大沼繁弘
藤森啓安
三谷誠司
増本健
一般式(Co1 -aFea)100-X -Y MX OY で示され、Mは Dy, Er, Gd, Hf, Li, Mg, Nd, Sc, Sr, Tm, Y, YbおよびZrのうちから選択される1種または2種以上ノ元素であり、その組成比aはa<0.3、xおよびyは原子%で8<x<12, 27<y<37で、且つ36<x+y<48である組成と少量の不純物からなり、異方性磁界が30Oe以上100Oe以下、電気比抵抗値が300μΩcm以上1500μΩcm以下及び飽和磁束密度が8kG以上を有することを特徴とする一軸磁気異方性