| 番号(日付) | 名称 | 発明者 |
|
整理番号 263 特願2007-59510(H19/03/13) 特開2007-173863 登録4630882(H22/11/19) |
一軸磁気異方性膜 |
大沼繁弘 藤森啓安 三谷誠司 増本健 |
| 一般式(Co1 -aFea)100-X -Y MX OY で示され、Mは Dy, Er, Gd, Hf, Li, Mg, Nd, Sc, Sr, Tm, Y, YbおよびZrのうちから選択される1種または2種以上ノ元素であり、その組成比aはa<0.3、xおよびyは原子%で8<x<12, 27<y<37で、且つ36<x+y<48である組成と少量の不純物からなり、異方性磁界が30Oe以上100Oe以下、電気比抵抗値が300μΩcm以上1500μΩcm以下及び飽和磁束密度が8kG以上を有することを特徴とする一軸磁気異方性 | ||