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平成12年（2000年）度
番号（日付） 名称 発明者
整理番号　242
特願2000-074937（2000/02/10）
特開2001-221696
審査中 		感温感歪複合センサ　 丹羽英二
金子秀夫
増本　剛
本発明は、温度感度が大きく歪感度（又は圧力感度）が小さい温度検知用薄膜、および歪感度（又は圧力感度）が大きく温度感度が小さい歪検知用薄膜という、大きく異なる特徴を持つ二つの薄膜抵抗体を、並列構造あるいは積層構造をなして構成することにより、補償回路を用いずに温度および歪（又は圧力）を同時に検出することが可能な複合型センサを提供できる。該センサを用いた検知器及び変換機などは小型化が可能であり、また高分解能2次元温度・歪分布の測定も可能である。
番号（日付） 名称 発明者
整理番号　244
特願2000-233902（2000/08/02）
特開2002-048067 　
登録3756737（H18/1/6） 		薄膜触覚センサ　 丹羽英二
佐々木祥弘
金子秀夫
増本　剛
本発明は、温度感度が大きく歪感度（又は圧力感度）が小さい温度検知用薄膜、および歪感度（又は圧力感度）が大きく温度感度が小さい歪検知用薄膜という、大きく異なる特徴を持つ二つの薄膜抵抗体を、並列構造あるいは積層構造をなして構成することにより、補償回路を用いずに、温度および歪（又は圧力）を同時に検出することが可能な薄膜触覚センサを提供できる。該センサは義手・義足、ロボット・マニピュレ−タ、体内挿入型医療器具及び人工皮膚等に適している。
番号（日付） 名称 発明者
整理番号　246
特願2000-367822（H12/10/26）
特開2002-131407
登録4023997（H19/10/12） 		薄膜磁界センサ （GIGS）
関連特許：整理番号225（登録番号）、外国出願 		小林伸聖
矢野　健
大沼繁弘
増本　健
本発明の薄膜磁界センサは、構造が単純で小型化が可能であり、高い磁界検出感度を有し、しかも温度変化等による誤差が無く、印加された磁界強度の絶対値が検出可能であるので、次世代の高性能磁界センサとして、その工業的意義は極めて大きい。
番号（日付） 名称 発明者
整理番号　247
特願2000-391623（H12/11/17）
特開2002-158486
審査中 		電磁波吸収膜 大沼繁弘
小林伸聖
増本　健
本発明は、一般式M100-XIXで表され、10nm以下の粒径を有する強磁性微粒子Mが高密度に分布してなり、ＩはＭからなる強磁性微粒子を囲む酸化物、窒化物又はフッ化物等の絶縁物からなる粒界物質であり、6kG以上の飽和磁化、30Oe以上の異方性磁界及び150μΩｃｍ以上の電気比抵抗を有し、且つGHz帯域での複素透磁率の虚数部の大きさが30以上であるナノグラニュラ−軟磁性膜からなる電磁波吸収膜で、各種の磁気デバイスのGHz周波数帯域においてすぐれた電磁波吸収特性を発揮する。